प्रकाश उत्सर्जक डायोड आमतौर पर प्रकाश उत्सर्जक उपकरणों का उपयोग किया जाता है जो प्रकाश उत्सर्जित करने के लिए इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों के पुनर्संयोजन के माध्यम से ऊर्जा का उत्सर्जन करते हैं।वे प्रकाश व्यवस्था के क्षेत्र में व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं।[1] प्रकाश उत्सर्जक डायोड कुशलतापूर्वक विद्युत ऊर्जा को प्रकाश ऊर्जा में परिवर्तित कर सकते हैं और आधुनिक समाज में इसके व्यापक उपयोग हैं, जैसे प्रकाश व्यवस्था, फ्लैट पैनल डिस्प्ले और चिकित्सा उपकरण।[2]

इस तरह के इलेक्ट्रॉनिक घटक 1962 की शुरुआत में दिखाई दिए। शुरुआती दिनों में, वे केवल कम चमक वाले लाल बत्ती का उत्सर्जन कर सकते थे।बाद में, अन्य मोनोक्रोमैटिक संस्करण विकसित किए गए।आज जो प्रकाश उत्सर्जित किया जा सकता है, वह दृश्य प्रकाश, अवरक्त और पराबैंगनी प्रकाश में फैल गया है, और चमक भी काफी हद तक बढ़ गई है।दीप्ति।उपयोग संकेतक रोशनी, डिस्प्ले पैनल आदि के रूप में भी इस्तेमाल किया गया है;प्रौद्योगिकी की निरंतर प्रगति के साथ, प्रकाश उत्सर्जक डायोड का व्यापक रूप से प्रदर्शन और प्रकाश व्यवस्था में उपयोग किया जाता है।

साधारण डायोड की तरह, प्रकाश उत्सर्जक डायोड एक PN जंक्शन से बने होते हैं, और उनमें एकदिशात्मक चालकता भी होती है।जब आगे वोल्टेज प्रकाश उत्सर्जक डायोड पर लागू होता है, तो पी क्षेत्र से एन क्षेत्र में इंजेक्शन वाले छेद और एन क्षेत्र से पी क्षेत्र में इंजेक्शन वाले इलेक्ट्रॉन क्रमशः एन क्षेत्र में इलेक्ट्रॉनों और आवाजों के संपर्क में होते हैं। पीएन जंक्शन के कुछ माइक्रोन के भीतर पी क्षेत्र में।छेद पुनः संयोजित होते हैं और सहज उत्सर्जन प्रतिदीप्ति उत्पन्न करते हैं।विभिन्न अर्धचालक पदार्थों में इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों की ऊर्जा अवस्थाएँ भिन्न होती हैं।जब इलेक्ट्रॉन और छिद्र फिर से जुड़ते हैं, तो जारी ऊर्जा कुछ अलग होती है।जितनी अधिक ऊर्जा मुक्त होती है, उत्सर्जित प्रकाश की तरंग दैर्ध्य उतनी ही कम होती है।आमतौर पर इस्तेमाल किए जाने वाले डायोड हैं जो लाल, हरे या पीले प्रकाश का उत्सर्जन करते हैं।प्रकाश उत्सर्जक डायोड का रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज 5 वोल्ट से अधिक होता है।इसका आगे वोल्ट-एम्पीयर विशेषता वक्र बहुत खड़ी है, और इसे डायोड के माध्यम से वर्तमान को नियंत्रित करने के लिए एक वर्तमान-सीमित अवरोधक के साथ श्रृंखला में उपयोग किया जाना चाहिए।

प्रकाश उत्सर्जक डायोड का मुख्य भाग पी-टाइप सेमीकंडक्टर और एन-टाइप सेमीकंडक्टर से बना वेफर है।पी-टाइप सेमीकंडक्टर और एन-टाइप सेमीकंडक्टर के बीच एक संक्रमण परत होती है, जिसे पीएन जंक्शन कहा जाता है।कुछ अर्धचालक पदार्थों के पीएन जंक्शन में, जब इंजेक्ट किए गए अल्पसंख्यक वाहक और बहुसंख्यक वाहक पुन: संयोजन करते हैं, तो अतिरिक्त ऊर्जा प्रकाश के रूप में जारी होती है, जिससे विद्युत ऊर्जा सीधे प्रकाश ऊर्जा में परिवर्तित हो जाती है।पीएन जंक्शन पर लागू रिवर्स वोल्टेज के साथ, अल्पसंख्यक वाहकों को इंजेक्ट करना मुश्किल है, इसलिए यह प्रकाश का उत्सर्जन नहीं करता है।जब यह एक सकारात्मक कार्यशील अवस्था में होता है (अर्थात, दोनों सिरों पर एक सकारात्मक वोल्टेज लागू होता है), जब एलईडी एनोड से कैथोड तक करंट प्रवाहित होता है, तो सेमीकंडक्टर क्रिस्टल पराबैंगनी से अवरक्त तक विभिन्न रंगों के प्रकाश का उत्सर्जन करता है।प्रकाश की तीव्रता वर्तमान से संबंधित है।